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類(lèi)目 |
典型值 |
特殊值 |
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晶型 / 尺寸 |
4H / 4或6英寸 |
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CMP晶面 |
(0001)Si晶面 |
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偏角 |
偏[11-20]4度 |
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導(dǎo)電性 |
n型 / p型 |
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摻雜 |
氮 / 鋁 |
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載流子濃度 |
范圍 |
1E15 ~ 1E18 cm-3 |
＜1E15 或 ＞1E18 cm-3 |
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容忍度 |
±25% |
/ |
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厚度 |
范圍 |
0.3 ~ 200 μm |
0.3 ~ 200 μm |
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容忍度 |
±10% |
±10% |
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表面缺陷密度 |
≤1 cm-2 |
≤ 1 cm-2 |
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表面粗糙度 |
≤ 2 nm |
≤ 2 nm |
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注釋
①每一層的載流子濃度和厚度無(wú)法直接測(cè)量。
②表面缺陷包含彗星缺陷、三角形缺陷、胡蘿卜缺陷以及掉落物。
③表面粗糙度使用原子力顯微鏡進(jìn)行測(cè)量，掃描尺寸為10×10 μm2。
*注：我司可根據(jù)客戶定制參數(shù)更嚴(yán)格的外延片。