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檢測和分析 SiC 外延中的表面缺陷和晶體缺陷

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技術(shù)參數(shù):

1) 微分干涉鏡頭:532 nm波段光源

2) 暗場鏡頭:457nm波段光源

3) PL鏡頭:313波段光源

4) PLX鏡頭:355波段光源

5) 自動聚焦測量范圍:±1.5mm

6) XYZ平臺:移動范圍550*400*5(XYZ),重復(fù)定位精度0.1um,測量精度:±0.5um

7) 重復(fù)性:CV≤5%

8) 致命缺陷測試準確性:≥95%