北京晶格領(lǐng)域半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“晶格領(lǐng)域”）近日獲得了北京市政府投資基金的重點(diǎn)投資。這一重大利好將進(jìn)一步加速公司在液相法碳化硅（SiC）襯底的研發(fā)和生產(chǎn)進(jìn)程，助力其成為國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商。
據(jù)悉，晶格領(lǐng)域已在順義區(qū)成功建成一條液相法SiC襯底中試線，并計劃于2025年初完成小規(guī)模產(chǎn)線建設(shè)，屆時年產(chǎn)能將達(dá)到2.5萬片SiC襯底。這條中試線涵蓋了碳化硅長晶、加工及檢測等完整襯底制備工藝環(huán)節(jié)，為公司的技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)能力提升奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)。
晶格領(lǐng)域中試線（圖源：晶格領(lǐng)域）
晶格領(lǐng)域在液相法SiC襯底的研發(fā)過程中，充分利用液相法技術(shù)在擴(kuò)徑上的獨(dú)特優(yōu)勢。液相法通過將固態(tài)原材料在高溫下融化成液體，再在液體中重新結(jié)晶，能夠高效生長高質(zhì)量、低缺陷的碳化硅單晶。相比傳統(tǒng)的物理氣相傳輸法，液相法不僅晶體質(zhì)量更高、缺陷更少、成品率更高，且生長速度可達(dá)500微米/小時，同時實(shí)現(xiàn)了“零微管”生長，極大地提升了襯底的可靠性和性能。
順義區(qū)經(jīng)信局相關(guān)負(fù)責(zé)人表示：“我們將會同屬地持續(xù)支持企業(yè)進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，在政策、配套、資源等方面給予全方位支持，幫助企業(yè)用好用足市區(qū)兩級政策，實(shí)實(shí)在在為企業(yè)紓困解難，不斷提升營商環(huán)境，為企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)造良好條件。”此次獲得北京市政府投資基金的支持，是對晶格領(lǐng)域多年來堅持自主創(chuàng)新和發(fā)展戰(zhàn)略的高度認(rèn)可。
晶格領(lǐng)域通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新和突破，正逐步形成完整的產(chǎn)業(yè)鏈條，從碳化硅單晶的生長、加工到最終的襯底制備，覆蓋了SiC襯底生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)。這不僅提升了公司的核心競爭力，也為順義區(qū)乃至北京市的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入了新的活力。
晶格領(lǐng)域計劃在現(xiàn)有中試線的基礎(chǔ)上，于2025年初完成小規(guī)模產(chǎn)線建設(shè)，年產(chǎn)2.5萬片SiC襯底的生產(chǎn)能力將進(jìn)一步滿足市場需求。為應(yīng)對未來更大規(guī)模的生產(chǎn)，公司已開始規(guī)劃年產(chǎn)27萬片碳化硅襯底的規(guī)?；a(chǎn)線布局，力爭在未來幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
